Samsung es el primero en desarrollar una memoria RAM DDR5 de 512 GB

Samsung acaba de anunciar que es el primero del mundo en desarrollar un módulo de memoria DDR5 con una capacidad de 512 GB de RAM. El componente se fabricó con tecnología HKMG de alto rendimiento y promete no solo una mayor capacidad, sino también un mejor rendimiento.

Las características de este nuevo producto de la marca surcoreana son realmente sorprendentes. Así que vamos a conocerlo un poco mejor.

Los fabricantes están en constante evolución para crear productos cada vez más potentes que sirvan mejor a los clientes. En este sentido, e incluso con la escasez de algunos componentes en el mercado, cada vez aparecen más novedades de nuevos productos, nuevas apuestas, nuevas fábricas, entre otros. Por lo tanto, incluso en medio de una pandemia, el mundo de la tecnología sigue dando pasos importantes hacia adelante.

Samsung anuncia su memoria DDR5 con 512 GB de RAM

Samsung anunció hoy un nuevo módulo de memoria con una capacidad increíble de 512 GB de RAM. Es el primer componente basado en el estándar DDR5 fabricado con tecnología HKMG (High-K Metal Gate) de alto rendimiento. En resumen, la empresa surcoreana promete no solo más capacidad, sino también un mejor rendimiento.

Según Samsung, este nuevo módulo alcanza velocidades de hasta 7.200 Mbps, y más del doble del rendimiento que ofrece la memoria RAM DDR4. Además, ofrece transferencias de hasta 57,6 GB / sy tiene una reducción del 13% en el consumo de energía.

La tecnología HKMG ha sido utilizada por Samsung desde 2018 en soluciones GDDR6, siendo ampliamente adoptada en tarjetas gráficas. En este caso, la tecnología mejora el aislamiento actual de los módulos de memoria, ya que ignora el silicio y utiliza un nuevo conjunto de metales en la construcción del componente.

Según el surcoreano, el módulo está hecho con tecnología TSV (Through-Silicon Via), que ha sido utilizada por la marca desde 2014 cuando introdujo módulos de servidor con capacidades de hasta 256 GB.

Este nuevo módulo DDR5 tiene ocho capas de chips DRAM de 16 Gb para ofrecer una capacidad de 512 GB.

Por ahora, estos nuevos módulos llegan primero a los centros de datos y las soluciones de inteligencia artificial. Samsung asegura que el componente será compatible con los procesadores Xeon "Sapphire Rapids", que llegarán este año.

El uso de memorias DDR5 en computadoras domésticas podría comenzar a tener un mayor impacto en las próximas generaciones de procesadores de Intel y AMD. Se estima que tanto la línea Alder Lake como los chips Zen 4 llegarán al mercado ya con soporte para esta tecnología.

Ana Gomez

Ana Gómez. Nació en Asturias pero vive en Madrid desde hace ya varios años. Me gusta de todo lo relacionado con los negocios, la empresa y los especialmente los deportes, estando especializada en deporte femenino y polideportivo. También me considero una Geek, amante de la tecnología los gadgets. Ana es la reportera encargada de cubrir competiciones deportivas de distinta naturaleza puesto que se trata de una editora con gran experiencia tanto en medios deportivos como en diarios generalistas online. Mi Perfil en Facebookhttps://www.facebook.com/ana.gomez.029   Email de contacto: ana.gomez@noticiasrtv.com

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